74AHC/AHCT157是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。其规格符合JEDEC标准no. 7A。

74AHC/AHCT157是四路2输入多路复用器，其在公共数据选择输入的控制下从两个数据源选择4位数据。使能输入(E)为低电平有效。E为高电平时，无论所有其他输入条件如何，所有输出（1Y至4Y）都被强制为低电平。

将数据从两组寄存器移动到四个公共输出总线是74AHC/AHCT157的常见用途。公共数据选择输入(S)的状态可确定数据来自哪个特定的寄存器。其还可以用作函数生成器。该器件在实施极不规则的逻辑时非常有用，方法是生成两个变量（其中一个变量为通用变量）的16个不同函数中的任意四个，74AHC/AHCT157是4极2位置开关的逻辑实施，其中开关位置由施加到S的逻辑电平确定。

逻辑方程式为：

1Y = E x (1I1 x S + 1I0 x S ) 2Y = E x (2I1 x S + 2I0 x S) 3Y = E x (3I1 x S + 3I0 x S) 4Y = E x (4I1 x S + 4I0 x S)

74AHC/AHCT157等同于74AHC/AHCT158，但具有非反相（真正）输出。

• 平衡传播延迟
• 所有输入都具有施密特触发器动作
• 输入接受高于VCC的电压
• 多输入使能，可实现轻松扩展
• 非常适合内存片选解码
• 仅对于74AHC157：采用CMOS输入电平工作
• 仅对于74AHC157：采用TTL输入电平工作
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101C超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

PDTC114YMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ

TFF11070HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器

PSMN3R9-25MLC - N沟道25 V 4.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术

BUK762R6-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET

74ALVCH16821 - 20位总线接口D型触发器，正沿触发器（三态）

PMV48XP - 20 V，3.5 A P沟道Trench MOSFET

BLS6G2731S-120 - LDMOS S波段雷达功率晶体管

A7101CGTK2 - 安全验证微控制器

BZX79-B16 - 稳压器二极管

PDZ15B - 稳压器二极管