74HC423；74HCT423是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。其规格符合JEDEC标准no. 7A。

带复位的74HC423；74HCT423双可再触发单稳态多谐振荡器具有两种输出脉冲宽度控制方法。

最小脉冲宽度基本上通过选择外部电阻(REXT)和电容(CEXT)确定。 一旦触发，基本输出脉冲宽度可通过再触发门控低电平有效边沿输入(nA)或高电平有效边沿输入(nB)进行扩展。重复这一过程，就可按需形成输出脉冲周期（nQ为高电平，nQ 为低电平）。nRD为低电平时，其将nQ输出强制为低电平，将nQ输出强制为高电平，并且还抑制触发。图10和图11说明了通过复位实现的脉冲控制。

nA和nB输入的施密特触发器动作使其高度容许较慢的输入上升和下降时间。

74HC423；74HCT423等同于74HC123；74HCT123，但无法通过复位输入触发。

• 从高电平有效或低电平有效输入触发的直流
• 针对占空系数高达100 %的极长脉冲可再触发
• 直接复位可终止输出脉冲
• 除复位输入外的所有输入上的施密特触发器动作
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

PBLS4001D - 40 V PNP BISS负载开关

BUK7K32-100E - Dual N-channel 100 V, 27.5 mΩ standard level MOSFET

BGU8052 - 低噪声高线性度放大器

BC846W - 65 V，100 mA NPN通用晶体管

PBHV8540X - 500 V，0.5 A NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管

PMEG6030ELP - 60 V, 3 A low leakage current Schottky barrier rectifier

BLM8G0710S-30PB(G) - LDMOS 2-stage power MMIC

PSMN3R5-80ES - N沟道80 V，3.5 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装

P5CD009 - 安全三接口、双接口和接触式PKI智能卡控制器

PCA9547D - 带有复位的8通道I2C总线多路复用器