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NXP产品 - BLC9G20LS-120V介绍

BLC9G20LS-120V - Power LDMOS transistor

BLC9G20LS-120V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLC9G20LS-120V是Power LDMOS transistor，本站介绍了BLC9G20LS-120V的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLC9G20LS-120V相关的NXP元器件型号供参考。

BLC9G20LS-120V - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦

产品描述

120 W LDMOS power transistor with enhanced video bandwidth for base station applications atfrequencies from 1805 MHz to 1995 MHz.

产品特性和优势
  • Excellent ruggedness
  • High efficiency
  • Low thermal resistance providing excellent thermal stability
  • Decoupling leads to enable enhanced video bandwidth performance (75 MHz typical)
  • Designed for broadband operation (1805 MHz to 1995 MHz)
  • Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
  • Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
  • Internally matched for ease of use
  • Integrated ESD protection
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
  • RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 1805MHz to 1995 MHz frequency range
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