BLF10H6600P - 功率LDMOS晶体管
BLF10H6600P是NXP公司的一款RF Energy产品,BLF10H6600P是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF10H6600P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF10H6600P相关的NXP元器件型号供参考。
BLF10H6600P - 功率LDMOS晶体管 - RF Energy - RF功率晶体管 - 恩智浦, LLC
产品描述
600W LDMOS RF功率晶体管,适合发射器应用和工业应用。该器件凭借其出色的耐用性而非常适合数字和模拟发射器应用。
产品特性和优势
- 极佳的强度(所有相位的VSWR ≥ 40 : 1)
- 最佳热性能和可靠性,Rth(j-c) = 0.15 K/W
- 高功率增益
- 高效率
- 设计用于宽带操作(400 MHz至1000 MHz)
- 内部输入匹配,可实现高增益和最佳宽带操作
- 极佳的可靠性
- 方便的功率控制
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 通信发射器应用
- 工业应用
下面可能是您感兴趣的NXP公司RF Energy元器件
NXP公司产品现货专家,订购NXP公司产品不限最低起订量,NXP芯片大陆现货即时发货,香港库存3-5天发货,海外库存7-10天发货
寻找全球NXP代理商现货货源 - NXP公司(恩智浦)电子元件在线订购