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BUK6C2R1-55C产品应用图解:
BUK6C2R1-55C产品封装图一
NXP产品 - BUK6C2R1-55C介绍
BUK6C2R1-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET

BUK6C2R1-55C是NXP公司的一款汽车MOSFET产品,BUK6C2R1-55C是N沟道TrenchMOS中间电平FET,本站介绍了BUK6C2R1-55C的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK6C2R1-55C相关的NXP元器件型号供参考。

BUK6C2R1-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC

产品描述

中间电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合相应AEC标准,适用于高性能汽车电子应用。

产品特性和优势
  • 符合AEC Q101汽车标准
  • 高电流处理能力,最高320 A
  • 极低导通电阻,因而导通损耗很小
  • 适用于标准和逻辑电平栅极驱动源
  • 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
产品应用
  • 12 V汽车系统
  • 电动和电动液压助力转向
  • 马达、灯具和螺线管
  • 微型混合动力起止应用
  • 传动控制
  • 超高性能电源开关
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