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BUK9E06-55B产品应用图解:
BUK9E06-55B产品封装图一
NXP产品 - BUK9E06-55B介绍
BUK9E06-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET

BUK9E06-55B是NXP公司的一款汽车MOSFET产品,BUK9E06-55B是N沟道TrenchMOS逻辑电平FET,本站介绍了BUK9E06-55B的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK9E06-55B相关的NXP元器件型号供参考。

BUK9E06-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC

产品描述

逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合相应AEC标准,适用于汽车电子关键型应用。

产品特性和优势
  • 低导通电阻,因而导通损耗很小
  • 符合Q101标准
  • 适用于逻辑电平栅极驱动源
  • 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
产品应用
  • 12 V和24 V负载
  • 汽车系统
  • 通用电源开关
  • 马达、灯具和螺线管
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