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NPIC6C595BQ产品应用图解：
NPIC6C595BQ - 功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出
NPIC6C595BQ是NXP公司的一款移位寄存器产品，NPIC6C595BQ是功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出，本站介绍了NPIC6C595BQ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NPIC6C595BQ相关的NXP元器件型号供参考。
NPIC6C595BQ - 功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出 - 移位寄存器 - 逻辑 - 恩智浦, LLC
产品描述
NPIC6C595是带存储寄存器和开漏输出的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都具有单独的时钟。该器件具有串行输入（DS）和串行输出（Q7S）功能，可实现级联和异步复位输入（MR）。MR上的低电平可复位移位寄存器和存储寄存器。数据通过SHCP输入的从低到高转换实现移位。移位寄存器的数据通过STCP输入的从低到高转换转移到存储寄存器，并通过SHCP输入的从低到高转换转移到Q7S输出。如果将两种时钟连接在一起，则移位寄存器始终领先存储寄存器一个时钟脉冲。每当输出使能输入（OE）为低电平时，存储寄存器内的数据就可驱动输出延伸漏极NMOS晶体管。OE上的高电平会使输出进入高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响寄存器的状态。开漏输出为33 V/100 mA持续电流扩展漏极NMOS晶体管，后者设计用于LED等要求中等负载功率的系统。输出中的集成式电压箝位提供针对电感瞬变的保护。该特性使器件非常适合用于继电器、螺线管和其他低电流或中等电压负载等功率驱动器应用。
产品特性和优势
- 指定温度范围为-40 °C至+125 °C
- 低RDSon
- 八个功率EDNMOS晶体管输出100 mA连续电流
- 250 mA限流能力
- 输出箝位电压33 V
- 30 mJ雪崩能量能力
- 所有寄存器通过单个输入清零
- 低功耗
- ESD保护：
- HBM JDS-001 2类超过2500 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
产品应用
- LED标志
- 图形状态面板
- 故障状态指示器
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