PBSM5240PF - 40 V,2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管,具有N沟道Trench MOSFET
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PBSM5240PF - 40 V,2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管,具有N沟道Trench MOSFET - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦, LLC
产品描述
PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管与N沟道Trench MOSFET的组合。该器件采用无引脚中等功率SOT1118表面贴装器件(SMD)塑料封装。
产品特性和优势
- 极低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力IC和ICM
- 高集电极电流增益(hFE)(高IC时)
- 发热量更低、能效高
- 所需的印刷电路板(PCB)面积相比传统晶体管的更小
产品应用
- 负载开关
- 电池驱动设备
- 电源管理
- 充电电路
- 电源开关(例如:马达、风扇)
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