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PSMN4R2-30MLD技术文档下载：
PSMN4R2-30MLD产品应用图解：
PSMN4R2-30MLD - N沟道30 V，4.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术
PSMN4R2-30MLD是NXP公司的一款通用MOSFET产品，PSMN4R2-30MLD是N沟道30 V，4.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术，本站介绍了PSMN4R2-30MLD的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PSMN4R2-30MLD相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN4R2-30MLD - N沟道30 V，4.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC
产品描述
逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK33封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。
产品特性和优势
- 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
- 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
- 针对低EMI设计的低峰值和振铃
- 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<1?μA（25?°C时）
- 最适合4.5 V栅极驱动
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Mini Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
- 外露引脚，可实现最佳焊点目测
产品应用
- 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节器模块(VRM)
- 负载点(POL)模块
- 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
- 有刷与无刷马达控制
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