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PSMN9R1-30YL产品应用图解:
PSMN9R1-30YL产品封装图一
NXP产品 - PSMN9R1-30YL介绍
PSMN9R1-30YL - N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET,采用LFPAK封装

PSMN9R1-30YL是NXP公司的一款通用MOSFET产品,PSMN9R1-30YL是N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET,采用LFPAK封装,本站介绍了PSMN9R1-30YL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN9R1-30YL相关的NXP元器件型号供参考。

PSMN9R1-30YL - N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET,采用LFPAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC

产品描述

逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适合用于工业和通信应用。

产品特性和优势
  • 低开关和导通损耗,因而效率高
  • 适用于逻辑电平栅极驱动源
产品应用
  • D级放大器
  • DC-DC转换器
  • 马达控制
  • 服务器电源
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