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BLF6G22LS-100,112供应商

产品参考图片

BLF6G22LS-100,112

制造厂商：NXP（恩智浦）

类别封装：RF场效应管，SOT502B

技术参数：TRANS BASESTATION 2-LDMOST

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参数详情：

NXP恩智浦完整型号：BLF6G22LS-100,112

制造商：NXP（恩智浦半导体）

描述：TRANS BASESTATION 2-LDMOST

系列：-

晶体管类型：LDMOS

频率：2.11GHz ~ 2.17GHz

增益：18.2dB

电压 - 测试：28V

额定电流：29A

噪声系数：-

电流 - 测试：950mA

功率 - 输出：25W

电压 - 额定：65V

封装/外壳：SOT-502B

供应商器件封装：SOT502B

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