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BLS6G3135S-120,112 - NXP公司常见的电子元件
BLS6G3135S-120,112供应商
产品参考图片
BLS6G3135S-120,112
制造厂商:
NXP(恩智浦)
类别封装:
RF场效应管,SOT502B
技术参数:
TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B
(专注销售NXP电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
(您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
参数详情:
NXP恩智浦完整型号:BLS6G3135S-120,112
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B
系列:-
晶体管类型:LDMOS
频率:3.1GHz ~ 3.5GHz
增益:11dB
电压 - 测试:32V
额定电流:7.2A
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
功率 - 输出:120W
电压 - 额定:60V
封装/外壳:SOT-502B
供应商器件封装:SOT502B
BLS6G3135S-120,112的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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