BUK9K52-60E,115
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：场效应管阵列，LFPAK56D
技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：BUK9K52-60E,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D系列：TrenchMOS?FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：16A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：49 毫欧 @ 5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：725pF @ 25V功率 - 最大值：32W安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT-1205， 8-LFPAK56供应商器件封装：LFPAK56DBUK9K52-60E,115的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
