PBLS2002S,115
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
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参数详情：
制造商产品型号：PBLS2002S,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置零件状态：停产晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA，3A电压-集射极击穿（最大值）：50V，20V电阻器-基极(R1)：4.7 千欧电阻器-发射极(R2)：4.7 千欧不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：150mV @ 500μA，10mA / 355mV @ 300mA，3A电流-集电极截止（最大值）：1μA，100nA频率-跃迁：100MHz功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）PBLS2002S,115的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
