PBLS2003D,115
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：阵列﹐预偏压式晶体管，6-TSOP
技术参数：TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PBLS2003D,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP系列：-晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，1A电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，20V电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：10k不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 5mA，5V / 220 @ 500mA，2V不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：150mV @ 500μA，10mA / 280mV @ 100mA，1A电流 - 集电极截止（最大值）：1μA，100nA频率 - 跃迁：185MHz功率 - 最大值：600mW安装类型：表面贴装封装/外壳：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOPPBLS2003D,115的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
