PEMB30,115
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：阵列﹐预偏压式晶体管，SOT-666
技术参数：TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PEMB30,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666系列：-晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA电压 - 集射极击穿（最大值）：50V电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：2.2k电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：-不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 20mA，5V不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：150mV @ 500μA，10mA电流 - 集电极截止（最大值）：1μA频率 - 跃迁：-功率 - 最大值：300mW安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-666PEMB30,115的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
