PEMD16,115
制造厂商:NXP(恩智浦)
类别封装:阵列﹐预偏压式晶体管,SOT-666
技术参数:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
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参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PEMD16,115制造商:NXP(恩智浦半导体)描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666系列:-晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA电压 - 集射极击穿(最大值):50V电阻器 - 基底 (R1) (Ω):22k电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):47k不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA电流 - 集电极截止(最大值):1μA频率 - 跃迁:-功率 - 最大值:300mW安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:SOT-666PEMD16,115的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。