PHB110NQ08T,118
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：单端场效应管，D2PAK
技术参数：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PHB110NQ08T,118制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK系列：TrenchMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：75V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：75A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：113.1nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4860pF @ 25V功率 - 最大值：230W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAKPHB110NQ08T,118的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
