PHD16N03T,118
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DPAK
技术参数：MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
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参数详情：
制造商产品型号：PHD16N03T,118制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchMOS?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：13.1A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 13A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.2nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：180pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：32.6W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DPAKPHD16N03T,118的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
