PHD38N02LT,118
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：单端场效应管，DPAK
技术参数：MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PHD38N02LT,118制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK系列：TrenchMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：44.7A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 25A，5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.1nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 20V功率 - 最大值：57.6W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：DPAKPHD38N02LT,118的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
