PHK12NQ03LT,518
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：单端场效应管，8-SO
技术参数：MOSFET N-CH 30V 11.8A SOT96
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PHK12NQ03LT,518制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 11.8A SOT96系列：TrenchMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 12A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17.6nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1335pF @ 16V功率 - 最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOPHK12NQ03LT,518的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
