PHK18NQ03LT,518
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：单端场效应管，8-SO
技术参数：MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PHK18NQ03LT,518制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC系列：TrenchMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20.3A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.9 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1380pF @ 12V功率 - 最大值：6.25W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOPHK18NQ03LT,518的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
