PMDPB58UPE,115
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：场效应管阵列，6-HUSON
技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PMDPB58UPE,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6系列：-FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.6A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：67 毫欧 @ 2A， 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：804pF @ 10V功率 - 最大值：515mW安装类型：表面贴装封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-HUSON（2x2）PMDPB58UPE,115的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
