PMDXB1200UPEZ
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：FET - 阵列，6-XFDFN
技术参数：MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号: PMDXB1200UPEZ制造商：NXP（恩智浦半导体）功能总体简述: MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6系列: -FET 类型: 2 个 P 沟道（双）FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 410mA不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 43.2pF @ 15V功率 - 最大值: 285mW安装类型: 表面贴装封装/外壳: 6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装: DFN1010B-6PMDXB1200UPEZ的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
