PMPB20EN,115
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：单端场效应管，6-DFN2020MD
技术参数：MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PMPB20EN,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.2A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：19.5 毫欧 @ 7A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：435pF @ 10V功率 - 最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-DFN2020MD （2x2）PMPB20EN,115的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
