PMPB27EP,115
制造厂商:NXP(恩智浦)
类别封装:单端场效应管,6-DFN2020MD
技术参数:MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN
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参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PMPB27EP,115制造商:NXP(恩智浦半导体)描述:MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN系列:-FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.1A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):29 毫欧 @ 6.1A, 10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1570pF @ 15V功率 - 最大值:1.7W安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN2020MD (2x2)PMPB27EP,115的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。