PMV45EN2R
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：FET - 单，TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：MOSFET N-CH 30V SOT23
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号: PMV45EN2R制造商：NXP（恩智浦半导体）功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT23系列: -FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能: 逻辑电平门漏源极电压（Vdss）: 30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 42 毫欧 @ 4.1A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 6.3nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 209pF @ 15V功率 - 最大值: 510mW安装类型: 表面贴装封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装: TO-236AB（SOT23）PMV45EN2R的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
