PMWD19UN,518
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
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参数详情：
制造商产品型号：PMWD19UN,518制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchMOS?零件状态：停产FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.6A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 3.5A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：28nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1478pF @ 10V功率-最大值：2.3W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）PMWD19UN,518的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
