PMXB120EPE
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：单端场效应管，3-DFN
技术参数：MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PMXB120EPE制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.4A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 2.4A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：309pF @ 15V功率 - 最大值：400mW安装类型：表面贴装封装/外壳：3-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装：3-DFN （1.1x1）PMXB120EPE的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
