PSMN022-30PL,127
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：单端场效应管，TO-220AB
技术参数：MOSFET N-CH 30V TO220AB
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PSMN022-30PL,127制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 30V TO220AB系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：447pF @ 15V功率 - 最大值：41W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3供应商器件封装：TO-220ABPSMN022-30PL,127的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
