PSMN1R6-40YLC,115
制造厂商：NXP（恩智浦）
类别封装：单端场效应管，LFPAK56
技术参数：MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
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参数详情：
NXP恩智浦完整型号：PSMN1R6-40YLC,115制造商：NXP（恩智浦半导体）描述：MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.55 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.95V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：126nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7790pF @ 20V功率 - 最大值：288W安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT-1023， 4-LFPAK供应商器件封装：LFPAK56， Power-SO8PSMN1R6-40YLC,115的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
