PSMN3R3-60PLQ
制造厂商:NXP(恩智浦)
类别封装:单端场效应管,TO-220AB
技术参数:MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
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参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PSMN3R3-60PLQ制造商:NXP(恩智浦半导体)描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO-220系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):130A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.4 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):95nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10115pF @ 25V功率 - 最大值:293W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3供应商器件封装:TO-220ABPSMN3R3-60PLQ的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。